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型号 品牌 描述 库存 包装 交货地(工作日) 操作
W631GU6MB-15 WINBOND/华邦 0 396 中国内地:14-17工作日
中国香港:12-15工作日
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W631GU6MB15I WINBOND/华邦 0 1 中国内地:14-17工作日
中国香港:12-15工作日
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规格参数
供应商器件封装 96-VFBGA(7.5x13)
存储容量 1Gb (64M x 16)
存储器类型 易失
封装/外壳 96-VFBGA
湿气敏感性等级(MSL) 3(168 小时)
零件状态 有源
存储器接口 并联
访问时间 20ns
工作温度 0°C ~ 95°C(TC)
电压 - 电源 1.283V ~ 1.45V
技术 SDRAM - DDR3L
安装类型 表面贴装型
包装 托盘
时钟频率 667MHz
存储器格式 DRAM
封装 VFBGA-96
类型 SDRAM - DDR3L
电源电压-最大 1.45 V
安装风格 SMD/SMT
最大时钟频率 667 MHz
系列 W631GU6MB
电源电压-最小 1.283 V
最小工作温度 0 C
组织 64 M x 16
数据总线宽度 16 bit
电源电流—最大 200 mA
存储容量 1 Gbit
最大工作温度 + 95 C
包装 Tray
生命周期 Obsolete
内存密度 1.0737Gbit
内存宽度 16
组织 64MX16
标称供电电压 (Vsup) 1.35V
访问模式 MULTIBANKPAGEBURST
内存集成电路类型 DDRDRAM
其他特性 AUTO/SELFREFRESH
功能数量 1
端口数量 1
字数代码 64000000
字数 67.1089M
工作模式 SYNCHRONOUS
自我刷新 YES
最大供电电压 (Vsup) 1.45V
最小供电电压 (Vsup) 1.283V
技术 CMOS
温度等级 OTHER
JESD-30 代码 R-PBGA-B96
最高工作温度 95°C
峰值回流温度(摄氏度) NOTSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 NOTSPECIFIED
端子数量 96
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 VFBGA
封装形状 RECTANGULAR
表面贴装 YES
端子形式 BALL
端子节距 800µm
端子位置 BOTTOM
座面最大高度 1mm
长度 13mm
宽度 7.5mm
包装说明 VFBGA,
是否符合REACH标准 compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.32
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JS28F640P33T85A INTEL/英特尔 139797 26.300785
LC35256FM-70UQ-TLM-E ONSEMI/安森美 14860 29.321821
LC35256FT70UHSTLM-E ONSEMI/安森美 9000 15.993721
BSC010NE2LSIATMA1 INFINEON/英飞凌 7910 8.684684
BSC010NE2LSIATMA1 INFINEON/英飞凌 5000 5.074000
JG82875 INTEL/英特尔 4399 97.295133
BSC010NE2LSIATMA1 INFINEON/英飞凌 4022 4.822004
IS62WV2568DBLL-45TLI ISSI/芯成 3892 9.871752
IS62C25616BL-45TLI ISSI/芯成 1800 19.725589
BSC010NE2LSIATMA1 INFINEON/英飞凌 232 12.671820
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