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型号 品牌 描述 库存 包装 交货地(工作日) 操作
W9464G6KH-5I WINBOND/华邦 0 864 中国内地:14-17工作日
中国香港:12-15工作日
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规格参数
供应商器件封装 66-TSOP II
存储容量 64Mb (4M x 16)
存储器类型 易失
封装/外壳 66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽)
湿气敏感性等级(MSL) 3(168 小时)
零件状态 有源
写周期时间 - 字,页 15ns
存储器接口 并联
访问时间 55ns
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
电压 - 电源 2.3V ~ 2.7V
技术 SDRAM - DDR
安装类型 表面贴装型
包装 托盘
时钟频率 200MHz
存储器格式 DRAM
封装 TSOP-66
类型 SDRAM - DDR
电源电压-最大 2.7 V
安装风格 SMD/SMT
最大时钟频率 200 MHz
系列 W9464G6KH
电源电压-最小 2.3 V
最小工作温度 - 40 C
组织 4 M x 16
数据总线宽度 16 bit
电源电流—最大 55 mA
存储容量 64 Mbit
最大工作温度 + 85 C
包装 Tray
内存密度 67.1089Mbit
内存宽度 16
组织 4MX16
标称供电电压 (Vsup) 2.5V
最长访问时间 700ps
访问模式 FOURBANKPAGEBURST
内存集成电路类型 DDR1DRAM
其他特性 AUTO/SELFREFRESH
功能数量 1
端口数量 1
字数代码 4000000
字数 4.1943M
工作模式 SYNCHRONOUS
自我刷新 YES
最大供电电压 (Vsup) 2.7V
最小供电电压 (Vsup) 2.3V
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
JESD-30 代码 R-PDSO-G66
最高工作温度 85°C
最低工作温度 -40°C
峰值回流温度(摄氏度) NOTSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 NOTSPECIFIED
端子数量 66
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALLOUTLINE,THINPROFILE
表面贴装 YES
端子形式 GULLWING
端子节距 650µm
端子位置 DUAL
座面最大高度 1.2mm
长度 22.22mm
宽度 10.16mm
包装说明 TSOP2-66
是否符合REACH标准 compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.02
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IS62WV10248EBLL-45TLI ISSI/芯成 1080 41.061686
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CY15B064Q-SXET CYPRESS/赛普拉斯 120 18.777974
CY15B064Q-SXET CYPRESS/赛普拉斯 120 21.596123
CY15B064Q-SXET CYPRESS/赛普拉斯 120 39.681665
IS62WV10248EBLL-45TLI ISSI/芯成 0 57.352099
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IS62WV10248EBLL-45TLI ISSI/芯成 0 53.628974
IS62WV10248EBLL-45TLI ISSI/芯成 0 62.403587
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