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三星7nm EUV工艺今年下半年问世 3nm工艺采用全新结构

来源:http://www.dramx.com/News/IC/20180523-13381.html 发布时间:2018-05-23

摘要: 三星在NAND、DRAM两大存储芯片上已经是世界第一,下一步的重点是逻辑工艺,三星新设立了工艺研发中心以加强代工业务,不过吸引客户的关键则是三星能否及时推出各种先进的制造工艺。学习集成电路知识,了解更多集成电路资讯,认准华强旗舰电子圈!

      三星在NAND、DRAM两大存储芯片上已经是世界第一,下一步的重点是逻辑工艺,三星新设立了工艺研发中心以加强代工业务,不过吸引客户的关键则是三星能否及时推出各种先进的制造工艺。

      2017年的三星代工论坛上,三星宣布了包括8nm、6nm及5nm、4nm工艺在内的一系列新工艺,今天三星又宣布新的工艺路线图,三星调整了一些工艺进展,表示7nm EUV工艺将在今年下半年问世,并首次公布了3nm GAAE/GAAP工艺,明确将使用新一代晶体管结构。

三星的工艺路线图更新如下:

        7nm LPP(7nm Low Power Plus):三星首款使用EUV光刻工艺的半导体工艺技术,预计今年下半年投入生产,关键IP核心正在开发中,预计2019年上半年完成。

        5nm LPE(5nm Low Power Early):通过7nm LPP工艺的创新,5nm LPE工艺将带来更高的面积缩放以及超低功耗优势。

       4nm LPE/LPP(Low Power Early/Low Power Plus):高度成熟的FinFET工艺将一直用到4nm节点,作为最新一代FinFET工艺,通过吸收5nm工艺的优势,4nm 将提供更小的cell单元、更高的性能以及更快达到量产水平的良率。

       3nm GAAE/GAAP(3nm Gate-All-Around Early/Plus):4nm之后三星将推出3nm工艺,该工艺节点将使用全新的架构,为了克服FinFET工艺的物理缩放以及性能限制等问题,三星开发了独一无二的GAA技术,通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管)。增强栅极控制之后,3nm节点工艺的性能将会明显提升。

       此外,针对HPC高性能计算,三星还能提供从7nm LPP工艺到2.5D/3D异构封装的100+Gbps网络等等IP核心。

       与去年的工艺路线图相比,8nm、6nm工艺没了踪影,不确定三星是没提还是直接跳过了,考虑到与台积电竞争7nm工艺的重要性,三星跳过某些工艺节点也是正常的。

       从现在公布的结果来看,三星的7nm EUV工艺明显加速了,今年下半年就能投产,虽然相关的IP核心要到明年初才能问世,不过台积电以及GF的7nm EUV工艺都是预定明年才量产的,至于英特尔那就更遥远了,10nm到明年底才能量产。

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