Nexperia GAN041-650WSB氮化镓(GaN)场效应管提供650V漏源极电压、47.2A漏极额定电流和41毫欧最大电阻。GAN041采用TO-247封装，是一种通常关闭的器件，结合了高压GaN HEMT H2技术和低压硅MOSFET技术。这些技术的结合提供了卓越的可靠性和性能。Nexperia GAN041-650WSB GaN FET是理想的无桥图腾柱PFC，伺服电机驱动器，以及工业和数据通信电源的硬开关和软开关转换器。

特性

• 超低反向回收充电

• 简单栅极驱动器(0V至+10V或12V)

• 坚固的栅极氧化物(±20V能力)

• 高门限电压(+4V)，具有良好的门限跳抗扰性

• 反向导通模式下源漏电压低

• 瞬态过电压的能力

应用程序

• 工业和数据通信电源的硬开关和软开关转换器

• Bridgeless图腾柱全氟化物

• PV、UPS逆变器

• 伺服电机驱动器