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英飞凌CoolSiC 650V G2 mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-04-15

摘要： 通过实现更低的能量损耗，充分利用碳化硅的性能。

英飞凌CoolSiC 650V G2 mosfet充分利用碳化硅的性能，实现更低的能量损耗，从而在功率转换过程中转化为更高的效率。英飞凌CoolSiC 650V G2 mosfet为各种功率半导体应用提供了优势，如光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动和工业电源。配备CoolSiC G2的电动汽车直流快速充电站的功率损耗比前几代产品减少了10%，同时在不影响外形尺寸的情况下实现了更高的充电容量。

特性

驱动电压灵活，兼容双极驱动方案
基准栅极阈值电压，V(GS(th))= 4.5V
即使在0V关断栅极电压下也能抗寄生导通

超低开关损耗
坚固体二极管在硬整流事件下的工作
.XT互连技术，具有一流的热性能

应用程序

smp
太阳能光伏逆变器
能量储存和电池形成

联合包裹
电动车充电基础设施
马达驱动器

投资组合提供

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