公司简介

华瑞功率电子股份有限公司(CET-MOS)为一群拥有多年研发设计及生产製造经验的团队所组成,沿袭华瑞公司超过25年的技术与经验,致力于开发高品质金属氧化半导体场效电晶体(MOSFET)之自有品牌公司。CET-MOS团队可提供高可靠度之各种功率元件,亦协助各国际大厂ODM与OEM设计封装并提供完整解决方案。CET-MOS拥有各种不同的封装型式,适用于各类电力电子产品上。CET-MOS产品之电压範围由-200V(P通道)至高压+1000V(N通道),并可提供单一或多核心之客製化产品。CET-MOS产品已被广泛应用于网路通讯、电源供应器、通讯电子产品、光电控制装置、消费性电子及工业应用产品等领域。提供客户最有竞争力及完整快速的解决方案。
类目:
  • 低压MOS管(76)
  • MOS(场效应管)(17)
  • 贴片三极管(9)
  • 其他被动元件(7)
  • 超小型管(5)
  • 贴片二极管(2)
品牌:
  • CET/華瑞(148)
型号
品牌
描述
库存
包装
阶梯
人民币含税价
美元价格
交货地(工作日)
采购量
华强自营
CET/華瑞
商品编号: 33NFBC-CEM4953A
漏源导通电阻: 58MΩ ; 栅极电压VGS: 3V ;
漏源极电压VDS: -30V ; 类型: 双P沟道 ;
1,077
1077+
¥0.6325
中国内地:8-14工作日
起订量: 1077
增量: 1
合计: ¥681.2
CET/華瑞
商品编号: 33NFBC-CEP60N10
124
124+
¥4.3585
中国内地:8-14工作日
起订量: 124
增量: 1
合计: ¥540.45
CES2312
CET/華瑞
商品编号: 3218ES-CES2312
漏源导通电阻: 33MΩ ; 栅极电压VGS: 1.2V ;
漏源极电压VDS: 20V ; 类型: N沟道 ;
CES2302
CET/華瑞
商品编号: 3218ES-CES2302
漏源导通电阻: 72MΩ ; 栅极电压VGS: 1V ;
漏源极电压VDS: 20V ; 类型: N沟道 ;
CES2306
CET/華瑞
商品编号: 24TRI0-CES2306
漏源导通电阻: 60MΩ ; 栅极电压VGS: 1V ;
漏源极电压VDS: 20V ; 类型: N沟道 ;
CES2301
CET/華瑞
商品编号: 31O47A-CES2301
漏源导通电阻: 100MΩ ; 栅极电压VGS: 1V ;
漏源极电压VDS: 20V ; 类型: P沟道 ;
CES2312
CET/華瑞
商品编号: 31O47A-CES2312
漏源导通电阻: 33MΩ ; 栅极电压VGS: 1.2V ;
漏源极电压VDS: 20V ; 类型: N沟道 ;
CES2317
CET/華瑞
商品编号: 31O47A-CES2317
CEC3P07
CET/華瑞
商品编号: 24TRI0-CEC3P07
CES2331
CET/華瑞
商品编号: 31O47A-CES2331