在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RURD4120S9A-F085-CN | CHIPNOBO/无边界 | 0 | 2500 | 中国内地：4-8工作日 |
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| RURD4120S9A-F085 | ONSEMI/安森美 | Ultrafast Diode Rectifier Diode, Avalanche, 4A, 1200V, TO-252 | 0 | 3456 | 中国内地：4-7工作日 中国香港：3-5工作日 |
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| FSCRURD4120S9AF085 | ON/安森美 | 0 | 2500 | 中国内地：10-12工作日 中国香港：8-10工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Transferred |
| Output Current-Max | 4A |
| Forward Voltage-Max (VF) | 2.1V |
| Reverse Recovery Time-Max | 90ns |
| Reverse Current-Max | 100µA |
| Power Dissipation-Max | 50W |
| Diode Element Material | SILICON |
| Diode Type | RECTIFIERDIODE |
| Configuration | SINGLE |
| Surface Mount | YES |
| Rep Pk Reverse Voltage-Max | 1.2kV |
| Number of Elements | 1 |
| Technology | AVALANCHE |
| Additional Feature | FREEWHEELINGDIODE |
| Application | ULTRAFASTSOFTRECOVERY |
| Non-rep Pk Forward Current-Max | 40A |
| Number of Phases | 1 |
| JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
| JESD-609 Code | e3 |
| Reference Standard | AEC-Q101 |
| JEDEC-95 Code | TO-252 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 175°C |
| Operating Temperature-Min | -65°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Case Connection | CATHODE |
| Number of Terminals | 2 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Position | SINGLE |
| Ihs Manufacturer | FAIRCHILDSEMICONDUCTORCORP |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8541.10.00.80 |
| Source Content uid | RURD4120S9A_F085 |
| Part Package Code | DPAK |
| Package Description | ROHSCOMPLIANTPACKAGE-2 |
| Pin Count | 3 |
| 生命周期 | Transferred |
| 最大输出电流 | 4A |
| 最大正向电压 (VF) | 2.1V |
| 最大反向恢复时间 | 90ns |
| 最大反向电流 | 100µA |
| 最大功率耗散 | 50W |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIERDIODE |
| 配置 | SINGLE |
| 表面贴装 | YES |
| 最大重复峰值反向电压 | 1.2kV |
| 元件数量 | 1 |
| 技术 | AVALANCHE |
| 其他特性 | FREEWHEELINGDIODE |
| 应用 | ULTRAFASTSOFTRECOVERY |
| 最大非重复峰值正向电流 | 40A |
| 相数 | 1 |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 参考标准 | AEC-Q101 |
| JEDEC-95代码 | TO-252 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 175°C |
| 最低工作温度 | -65°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 外壳连接 | CATHODE |
| 端子数量 | 2 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 零件包装代码 | DPAK |
| 包装说明 | ROHSCOMPLIANTPACKAGE-2 |
| 针数 | 3 |
| 是否符合REACH标准 | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.10.00.80 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| 1984031 | PHOENIX | 390 | 3.977820 |
| 1843606 | PHOENIX | 363 | 1.928640 |
| 1803565 | PHOENIX | 240 | 12.210800 |
| IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
| FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 43 | 145.505268 |
| FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
| J42FSC-02V-KX | JST | 12 | 3.616200 |
| CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
| FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
