在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RX-4571NB:B | EPSON/爱普生 | RX 4571NB:B | 0 | 1 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
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| RX-4571NB:B3 PURE SN | EPSON/爱普生 | 0 | 1 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 系列 | RX-4571NB |
| 包装 | Bulk |
| 生命周期 | Active |
| 最大时钟频率 | 32kHz |
| 表面贴装 | YES |
| 标称供电电压 | 3V |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | TIMER,REALTIMECLOCK |
| 技术 | CMOS |
| 信息访问方法 | SERIAL,3-WIRE |
| 中断能力 | Y |
| 电源 | 1.8/5V |
| 最大供电电压 | 5.5V |
| 最小供电电压 | 1.6V |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 最短时间 | SECONDS |
| 易失性 | YES |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-N22 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 端子数量 | 22 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SON |
| 封装等效代码 | SOLCC22,.2,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 端子面层 | TIN |
| 端子形式 | NOLEAD |
| 端子节距 | 500µm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 1.4mm |
| 宽度 | 4.8mm |
| 包装说明 | SON,SOLCC22,.2,20 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 零件包装代码 | SON |
| 针数 | 22 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 74HC4046AD,653 | NEXPERIA | 130 | 1.606872 |
| DS1339U-33+T&R | MAXIM | 95 | 12.983040 |
| DS1302Z+T&R | MAXIM | 85 | 4.086306 |
| CY2304SXI-1 | CYPRESS | 26 | 15.288000 |
| DS3231MZ+TRL | MAXIM | 23 | 17.016720 |
| CY2308SXI-2 | CYPRESS | 20 | 43.276800 |
| DS12C887+ | MAXIM | 15 | 98.527616 |
| CY2308ZXC-1HT | CYPRESS | 10 | 10.976000 |
| DS3231SN#T&R | MAXIM | 6 | 18.500520 |
| CY2305SXI-1T | CYPRESS | 2 | 38.808000 |
