ARM在90年代末进入中国，借助其在全球移动终端和嵌入式系统上的成功，正在深刻地影响着嵌入式系统教学。2004年ARM发布Corex-M3 MCU内核之后，国际上主要的MCU厂商纷纷推出基于M3、M4、M0和M0+的各种MCU。其中M0/M0+瞄准的是替代传统的以8051为代表的8位MCU市场，这些给单片机(MCU)和嵌入式教育带来新的机遇和挑战。近日，由嵌入式系统联谊会主办的第13次主题研讨会如

SN65MLVD2 与 SN65MLVD3 均为单通道 M-LVDS 接收机。这些器件完全符合 TIA/EIA-899 (M-LVDS) 标准，且经过优化，能够以高达 250Mbps 的信令速率工作。M-LVDS 标准可定义两种类型的接收机，分别为 Type 1 与 Typ

用电量的计算：1度电（kW/h）=1000W×h即用电器的功率与时间的乘积。导线的选择以铜芯导线为例，其经验公式为导线截面（单位为m㎡）≈I/4(A)若1 m㎡截面的铜芯导线的额定载流量≈4A。例：家用单相电度表的电流为40A，选择导线（铜芯导线截面规格有1 m㎡、1.5 m㎡2.5 m㎡、5 m㎡、6 m㎡、10 m㎡、16 m㎡、25 m㎡、35 m㎡）为I/4≈40/

　　1，C562型号由CD288-250V-47UF-M改为CD288-250V-47UF-M。　　2，增加C439型号为CD288-250V-47UF-M，厂家为南通江海电容器厂。　　3，R935型号由RT13-1/6W-27R-J改为RT13-1/6W-15R-J。

1/2.5、1/1.8、1/1.6CCD尺寸图示对比，1/2.5、1/1.8、1/1.6CCD尺寸图示对比 1/2.5、1/1.8、1/1.6CCD尺寸图示对比经常看到关于CCD大小的争论，今天有空用AUTOCAD把常见的1/2.5、1/1.8、1/1.6CCD尺寸作图示对比，图中的三个正方形就是上面三个尺寸对应的CCD大小（注意：1/2.5、1/1.8、

1.MB芯片定义与特点 定义： MB芯片：MetalBonding(金属粘着)芯片;该芯片属于UEC的专利产品 特点： 1、采用高散热系数的材料---Si作为衬底，散热容易。ThermalConductivity GaAs:46W/m-K GaP:77W/m-K Si:125～150W/m-K Cupper:300~400W/m-k SiC:490W/m-K 2、通过金属层来接合

1．指令符号 表1 为实数比较指令说明表。表1 实数比较指令说明表参数 数据类型 存储器区域 说明 方块输入BOOLI、Q、M、L、D 前一逻辑运算结果方块输出BOOLI、Q、M、L、D 比较结果，只有在方块输入的RLO =1时，方块输出才作进一步处理IN1REALI、Q、M、L、D或常数 第1比较值 TN2REALI、Q、M、L、D或常数 第2比较值 2．指令功能说明 CMP?

1．指令符号 表1 为双整型数比较指令说明表。表1 双整型数比较指令说明表参数 数据类型存储器区域 说明 方块输入BOOLI、Q、M、L、D 前一逻辑运算结果方块输出BOOLI、Q、M、L、D 比较结果，只有在方块输入的RLO =1时，方块输出才作进一步处理IN1DINTI、Q、M、L、D或常数 第1比较值 IN2DINTI、Q、M、L、D或常数 第2比较值 2．指令功能说明 CMP?

1．指令符号 表1 为整型数比较指令说明表。表1 整型数比较指令说明表 参数 数据类型 存储器区域 说明 方块输入 BOOL I、Q、M、L、D 前一逻辑运算结果 方块输出 BOOL I、Q、M、L、D 比较结果，只有在方块输入的RLO=1时，方块输出才作进一步处理 IN1 INT I、Q、M、L、D或常数 第1比较值 IN2 INT I、Q、M、L、D或常数 第2比较值 2．

m序列码也称伪随机序列码，其主要特点是：（1）每个周期中，“1”码出现2n-1次，“0”码出现2n-1次，即0、1出现概率几乎相等。（2）序列中连1的数目是n，连0的数目是n-1。由于具有这些特点，m序列码在通信、雷达、系统可靠性测试等方面获得了广泛地应用。m序列码发生器是一种反馈移位型结构的电路，它由n位移位寄存器加异或反馈网络组成，其序列长度M＝