【用　途】 高频整流二极管 【性能 参数】硅 75kV 25mA Vf=120V Trr=1us 【互换 兼容】

产品型号:ncv4275dsr4g输出电压典型值(v):5输出电流典型值(a):0.450极性:正压差典型值(v):0.25/0.45a输入电压最大值(v):45封装/温度(℃):d2pak/-40~125

　　台湾地区的晶圆代工厂商联电已突破关键的45纳米工艺障碍，生产出了位单元尺寸小于0.25平方微米的sram芯片。联电计划明年试生产45纳米芯片。该公司表示，与其65纳米工艺相比，新式45纳米工艺的6晶体管sram单元尺寸缩小了50%，性能提高了30%。这都是45纳米工艺的优点。　　随着芯片设计师的注意力转

台湾地区晶圆代工厂联电已突破关键的45纳米工艺障碍，生产出了单元尺寸小于0.25平方微米的SRAM芯片。联电计划明年试生产45纳米芯片。该公司表示，与其65纳米工艺相比，新式45纳米工艺的6晶体管SRAM单元尺寸缩小了50%，性能提高了30%。随着芯片设计师的注意力转向45纳米，他们将需要解决设计规范缩小30%的问题。

台湾地区晶圆代工厂联电已突破关键的45纳米工艺障碍，生产出了单元尺寸小于0.25平方微米的SRAM芯片。联电计划明年试生产45纳米芯片。该公司表示，与其65纳米工艺相比，新式45纳米工艺的6晶体管SRAM单元尺寸缩小了50%，性能提高了30%。随着芯片设计师的注意力转向45纳米，他们将需要解决设计规范缩小30%的问题。

产品型号:NCV4275DTRKG输出电压典型值(V):5输出电流典型值(A):0.450极性:正压差典型值(V):0.25/0.45A输入电压最大值(V):45封装/温度(℃):DPAK/-40~125

产品型号:NCV4275DSR4G输出电压典型值(V):5输出电流典型值(A):0.450极性:正压差典型值(V):0.25/0.45A输入电压最大值(V):45封装/温度(℃):D2PAK/-40~125

产品型号:NCV4269D1R2G输出电压典型值(V):5输出电流典型值(A):0.150极性:正压差典型值(V):0.25@0.1A输入电压最大值(V):45封装/温度(℃):SOIC-8/-40~85