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1ED3890MC12M

1ED3890MC12M产品信息:

9 A, 5.7 kV单通道高柔性隔离栅极驱动器,具有I2C可配置的DESAT, Soft-Off, UVLO, Miller箝位,TLTO和故障。UL 1577,VDE 0884 - 11认证

用于igbt、mosfet和SiC mosfet,具有大爬电距离(>8 mm)的小空间DSO-16细螺距宽体封装中典型的沉源峰值输出电流。

1ED3890MU12M属于EiceDRIVER 增强1ED38xx系列(X3数字系列)-具有可调控制和保护功能的单通道隔离栅极驱动器,包括DESAT, Soft-Off, UVLO, Miller箝位,两级关断(TLTO),故障,以简化高可靠系统的设计。所有参数调整都是通过I2C接口(引脚SDA和SCL)从输入端完成的。1ED3830适用于igbt, SiC和Si mosfet。

1ED3431模拟版本,主动米勒夹具,可调DESAT和软关闭

特征描述

  • 高灵活性EiceDRIVER 增强单通道隔离栅极驱动器1ED38xx家族(X3数字家族)
  • 适用于650 V/1200 V/1700 V/2300 V igbt, Si和SiC mosfet
  • 2300v功能失调电压,可用于选定的应用
  • ±3典型的下沉和输入峰值输出电流
  • 40v绝对最大输出电源电压
  • 两级关断,分离源和汇聚输出
  • 活跃的米勒夹
  • 具有故障输出的高精度温度补偿VCEsat检测(DESAT)
  • 去饱和检测后IGBT软关断
  • 将FLT和RDY状态信号发送给µController
  • 通过I2C总线从输入侧进行参数调整:
    • 欠压锁定(UVLO)
    • 活跃的米勒夹
    • DESAT保护
    • 软关闭
    • 欠压锁定(UVLO)
    • 在温度关机

优势

  • 160°C(±10°C)超温停机
  • 紧密IC-to-IC传播延迟匹配(最大30 ns)
  • 高共模瞬态抗扰度CMTI >100 kV/μs
  • 适合在高达125°C的高环境温度下操作
  • 节省空间的小DSO-16细节距宽体封装,大爬电距离(>8毫米)
  • UL 1577 VISO = 6.84 kV (rms) for 1 s, 5.7 kV (rms) for 1 min
  • IEC 60747-17/VDE 0884-11带VIORM = 1767 V(峰值,增强)

1ED3890MC12M引脚功能、电路图:

相关型号:

1503PA160 1503PA120 1503PA100 1503PA80 1503PA60
1503PA40 1003PAB250 1003PAB200 1003PAB180 1003PA160
1003PA140 1003PA120 1003PA100 15MLS250 15MLS200
15MLS160 15MLA200 15MLA180 15MLA160 1603PJA
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