GaN EiceDRIVER IC具有出色的稳健性和效能，非常适合驱动GaN HEMT
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GaN EiceDRIVER IC具有出色的稳健性和效能，非常适合驱动GaN HEMT
新型单通道电隔离栅极驱动器IC组件1EDS5663H非常适合增强型 GaN HEMT 。 它具有非隔离栅极（二极管输入特性）和低阈值电压， 例如 CoolGaN 。 它可确保稳健高效的高压GaN开关操作，同时大大减少研发工作并缩短产品上市时间。
