2.几何参数设置按下表执行：调整项目：75/60/SVGA备注调整项目：75/60/SVGA备注行中心

产品型号:NTB75N06T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9.500最大漏极电流Id(on)(A):75通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK/-55 ~150描述:75 A, 60 V功率MOSFET价格/1片(套):￥18.00欢迎来一步电子网 查看更多精彩信息 请登录 www.kuyibu.com/botan

型 号 YWX—010 YWX—025 YWX—075 YWX—100 YWX—200 试验室尺寸(cm) 50×50×40 55×90×60 75×110×60 100×130×60 100×200×

产品型号:ntp75n06g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):9.500最大漏极电流id(on)(a):75通道极性:n沟道封装/温度(℃):to-220/-55~150描述:75 a 60v 功率mosfet价格/1片(套):￥14.50

一、前言:主要針對VT-26及VTII-26二車床機型之規格、切削效能及精度提出相關測試說明供營業販售及相關單位參考.二、機台規格比較:機種別項目VT-26/60(110)UC(UA)VT2-26/60

【用　途】 普通用途 【性能 参数】硅 PNP 60/40V 0.6A 0.4W 26/70ns β=40-120 *K 【互换 兼容】

【用　途】 普通用途 【性能 参数】硅 PNP 60/40V 0.6A 0.4W 26/70ns β=100-300 *K 【互换 兼容】

产品型号:mps751rlrag类型:pnp集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):60集电极最大电流ic(max)(ma):2000直流电流增益hfe最小值(db):75直流电流增益hfe最大值(db):－最小电流增益带宽乘积ft(mhz):75封装/温度(℃):3to-92/-55~150价格/1片(套):￥.70

产品型号:pzt751t1g类型:pnp集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):60集电极最大电流ic(max)(ma):2000直流电流增益hfe最小值(db):75直流电流增益hfe最大值(db):－最小电流增益带宽乘积ft(mhz):75封装/温度(℃):sot-223/-55 to+150价格/1片(套):￥.99

产品型号:pzt651t1g类型:npn集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):60集电极最大电流ic(max)(ma):2000直流电流增益hfe最小值(db):75直流电流增益hfe最大值(db):－最小电流增益带宽乘积ft(mhz):75封装/温度(℃):sot-223/–55 to +150价格/1片(套):￥.99