650 V高速，高边和低边栅极驱动器，典型的0.29 A源和0.7 A汇聚电流的DSO-8封装驱动功率MOSFET和IGBT。

基于我们的soi技术，2ED2101S06F具有出色的坚固性和抗VS引脚上的负瞬态电压的噪声能力。由于器件中没有寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁存。