采用DSO-14封装、集成自举二极管的650 V, 0.7 A高边和低边栅极驱动器
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采用DSO-14封装、集成自举二极管的650 V, 0.7 A高边和低边栅极驱动器
650 V高边和低边高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，具有典型的0.29A拉电流、0.7A灌电流，采用DSO-14 封装。另外还提供更小巧的DSO-8 封装产品：2ED2106S06F。
它们基于 SOI工艺，拥有出色的耐用性和抗噪性，可耐受VS引脚上的负瞬态电压。该器件无寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不存在寄生锁存效应。
特征描述
优势
| Part No | Package | Input logic | Interlock | Deadtime |
2ED2106S06F | DSO - 8 | HIN, LIN | No | None |
2ED2108S06F | DSO - 8 | HIN, /LIN | Yes | Internal 540 ns |
2ED21084S06J | DSO - 14 | HIN, /LIN | Yes | Programmable 540 ns - 5000 ns |
2ED2109S06F | DSO - 8 | IN, /SD | Yes | Internal 540 ns |
2ED21094S06J | DSO - 14 | IN, /SD | Yes | Programmable 540 ns - 5000 ns |
2ED21091S06F | DSO - 8 | IN, DT/SD | Yes | Programmable 540 ns - 2700 ns |
