650 V高速，高电流高侧和低侧栅极驱动器，DSO-16封装中典型的2.5 A源和吸收电流，用于驱动功率MOSFET和IGBT。

基于我们的soi技术，2ED2110S06M具有出色的坚固性和抗VS引脚上的负瞬态电压的噪声。由于器件中没有寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁存。