采用DSO-8封装、集成自举二极管的650 V、2.5 A大电流半桥栅极驱动器IC
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采用DSO-8封装、集成自举二极管的650 V、2.5 A大电流半桥栅极驱动器IC
是650 V半桥高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，它采用DSO-8封装，具有典型的2.5 A灌电流和源电流。您亦可选购DSO-14封装版本：2ED21824S06J.
基于 SOI技术, 它对VS引脚的负瞬态电压有着出色的耐用性和抗扰性。该器件没有采用寄生晶闸管结构，因此在任何温度和电压条件下，都不存在寄生闩锁效应。
特征描述
优势
| Part No | Package | Input logic | Interlock | Deadtime |
| 2ED2181S06F | DSO - 8 | HIN, LIN | No | None |
| 2ED21814S06J | DSO - 14 | HIN, LIN | No | None |
2ED21824S06J | DSO - 14 | HIN, LIN | Yes | Programmable 400 ns - 5000 ns |
| 2ED2183S06F | DSO - 8 | HIN, /LIN | Yes | Internal 400 ns |
| 2ED21834S06J | DSO - 14 | HIN, /LIN | Yes | Programmable 400 ns - 5000 ns |
| 2ED2184S06F | DSO - 8 | IN, /SD | Yes | Internal 400 ns |
| 2ED21844S06J | DSO - 14 | IN, /SD | Yes | Programmable 400 ns - 5000 ns |
