是650 V半桥大电流高速栅极驱动器，可驱动MOSFET和IGBT，它采用DSO-14封装，具有典型的2.5 A灌电流和源电流。您亦可选购更小的DSO-8封装版本：2ED2184S06F。

基于 SOI技术, 它对VS引脚的负瞬态电压有着出色的耐用性和抗干扰性。该器件没有采用寄生晶闸管结构，因此在任何温度和电压条件下，都不存在寄生闩锁效应。