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2ED24427N01F

2ED24427N01F产品信息:

24v双通道低侧栅极驱动器,具有大电流驱动大功率开关

EiceDRIVER 24v双通道低侧非反相栅极mosfet或igbt驱动器,具有典型的10a源和汇聚电流的DSO-8封装,具有热效率,暴露电源板。2ED24427N01F通过简化高功率密度系统设计,减少PCB占地面积,提高可靠性,在多种应用中实现更高的功率和更快的开关频率。

2ED24427N01F是一个低压,功率MOSFET和IGBT非反相栅极驱动器。专有锁存器免疫CMOS技术使坚固的单片结构成为可能。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。输出驱动程序具有一个当前缓冲级。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级设计的最小驱动器交叉传导。两个信道之间的传播延迟是匹配的。内部VCC电路提供电压锁定保护,保持输出低,直到VCC电源电压在工作范围内。

特征描述

  • 10a接收器和10a源驱动程序能力(典型)
  • 11.5 V欠压锁定
  • 最大供电电压为24v
  • 使函数
  • CMOS Schmitt-triggered输入
  • 输出与输入相一致
  • 3.3 V, 5 V和15 V输入逻辑兼容
  • PSOIC-8封装与热垫
  • 2千伏HBM防静电

优势

  • 高功率或并联mosfet和igbt或模块的大驱动能力,如EasyPACK 或EconoPACK
  • 热效率的PDSO-8软件包提高了可靠性和整体满负荷系统效率
  • 通过对每个通道并行多个开关(例如同步整流),可能降低系统成本
  • 通过减少各种电力电子并联应用中所需的低电流(例如5 A)低侧栅极驱动器的数量,可以降低系统成本和体积

找到我们的变化

部分没有渠道Io + / - (typ)UVLO typ(开/关)。特性

IRS4427S

DSO-8

2

一个2.3/3.3

IRS44262S

DSO-8

2

一个2.3/3.3

10.2/9.2 V

1 ed44175n01b

SOT23-6

1

一个2.6/2.6

11.9/11.4 V集成过流保护与负电流检测

IRS44273L

SOT23-51一个1.5/1.510.2/9.2 V额外的OUT引脚,便于布局

2ED24427N01F数据手册:

2ED24427N01F引脚功能、电路图:

相关型号:

253PA160 253PA140 253PA120 253PA100 253PJA160
253PJA140 253PJA120 253PJA100 253PJA80 253PJA60
20CHA20 20CHA10 20CQA06 20CQA04 20CQA03L
20CFB60 20CFF60 20CFA40 20CDA60 20CDA40
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