描述
这种MOSFET被设计为最小化通态电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,使其成为高效率电源管理应用的理想选择。
应用程序
特性
- 双n沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 低门限电压
- 低输入电容
- 转换速度快
- 输入/输出低泄漏
- 超小表面贴装封装
- 完全无铅,完全符合RoHS标准(注1 &2)
- 卤素和Antimony-Free。“绿色”装置(注3)
- 适用于需要特殊改变的汽车应用
控制(即:符合AEC-Q100/101/200、PPAP的零件
有能力,并在IATF 16949认证的设施中生产),
请参阅相关汽车等级(Q-suffix)部分。 - 该名单可在网站上找到
- 该部件符合JEDEC标准(参见
AEC-Q)的高可靠性。
- 一个汽车合规的部分可在单独
Datasheet (2N7002DWQ)