单根矩形铜排载流量　= 排宽 * (　排厚 +　8.5)例如：15*150的40度时载流=23.5*150=3525 12*150.... =20.5*150=3075双层载流量＝1.5倍单层载流量三层载流量＝2.0倍单层载流量铜导线载流量(35℃)及抽屉柜抽屉导线选用标准 1 铜导线载流量(35℃)截面（mm） 1 1.5 2.5 4 6 10 16 25 35 50 70 95载流量（A） 1

【用　途】 【性能 参数】【互换 兼容】

【用　途】 改善彩色不稳状态电路 【性能 参数】双列18脚封装,电源电压=10.8～13.2V,典型值=12V,电源电流=35～50mA,总消耗功率=1.1W,储存温度=-25～150是一个彩色瞬态改善电路，它具有用于瞬态检测、存储和开关电路改进色差信呈（R-Y）和（B-Y）的彩色瞬态特

16815.00.1～0.151～34～70.54～71～30.01～0.025810～2310～2310～2320～3020～3520～403～1222～72～72～725～4515～3010～2518～35－－5.0－－－10.010.0-55～120-55～150-55～150-55～150-55～150-55～150-55～150-55～150

图中，LMC7101和BS250构成一个恒流源电路，对单轴传感器而言R3 =451 Q，对双轴传感器而言R3=921 Ω，对三轴传感器而言R。-1 411 Ω；电阻元件R1和R2用来微调偏置；1.5 nF电容的作用是提供1kHz的向上转移频率。

770)this.style.width=770;" border='2'>电子电路图纸简介： J0-411型万用表总电路.jpg

摘　要:　制备了纳米VO2多晶薄膜材料,其相变温度为35℃,实验测量了它的电阻-温度(R-T)曲线和热滞回线,并用随机阻抗网络模型进行了R-T曲线和热滞回线模拟,两者显示出结果一致,表明在低温相变温度35℃下,随机阻抗网络模型适用于纳米VO2多晶薄膜R-T曲线和热滞回线。

产品型号:mbr2535ctlg反向重复峰值电压vrrm(max)(v):35平均整流器前向电流io(max)(a):25瞬间前向电压vf(max)@if(v):0.55@25a非重复峰值浪涌电流ifsm(max)(a):150瞬间反转电流ir(max)(ma):5封装/温度(℃):to-220/150（max）价格/1片(套):￥8.10

产品型号:mbr2535ct反向重复峰值电压vrrm(max)(v):35平均整流器前向电流io(max)(a):25瞬间前向电压vf(max)@if(v):0.55@25a非重复峰值浪涌电流ifsm(max)(a):150瞬间反转电流ir(max)(ma):500@125℃封装/温度(℃):4to220ab/-65~150价格/1片(套):￥7.60

产品型号:mbr2535ctg反向重复峰值电压vrrm(max)(v):35平均整流器前向电流io(max)(a):25瞬间前向电压vf(max)@if(v):0.55@25a非重复峰值浪涌电流ifsm(max)(a):150瞬间反转电流ir(max)(ma):5封装/温度(℃):to-220/150（max）价格/1片(套):￥7.60