T：-初级=30匝#22线　　次级=45匝#22线　　铁芯=立方结构的铁氧体203F 181-3C3　　Rs-串联电阻，用来把可控硅整流器2N6167电流限制在60A（有效值）的额定值上

据计世网报道，IBM日前宣布，在22纳米芯片制造技术上已经领先于英特尔和AMD。IBM称，在合作伙伴Mentor Graphics和Toppan Printing的帮助下，IBM在22纳米芯片制造工艺上举得巨大突破。当前，芯片制造技术普遍处于45纳米阶段，并将向32纳米工艺迈进。但无论是45纳米工艺，还是32纳米工艺，由于瓶颈限制均无法继续向22纳米制造工艺过渡。 而IBM日前宣布，已经

据国外媒体报道，IBM日前宣布，在22纳米芯片制造技术上已经领先于英特尔和AMD。　　IBM称，在合作伙伴Mentor Graphics和Toppan Printing的帮助下，IBM在22纳米芯片制造工艺上举得巨大突破。　　当前，芯片制造技术普遍处于45纳米阶段，并将向32纳米工艺迈进。但无论是45纳米工艺，还是32纳米工艺，由于瓶颈限制均无法继续向22纳米制造工艺过渡。　　而IBM日前宣布，已

9月22日消息，新技术让IBM不断缩小它的微处理器。目前的半导体技术只能把处理器缩小在65-45纳米之内，而英特尔公司明年的目标却是32纳米。IBM公司更进一步，宣布其计划生产22纳米的处理器。　　英特尔计划不断缩小芯片尺寸，从45纳米到32纳米，然后是22纳米，再到14或15纳米，最终到10纳米。但是官方只宣布了2009年实

9月22日消息，新技术让IBM不断缩小它的微处理器。目前的半导体技术只能把处理器缩小在65-45纳米之内，而英特尔公司明年的目标却是32纳米。IBM公司更进一步，宣布其计划生产22纳米的处理器。英特尔计划不断缩小芯片尺寸，从45纳米到32纳米，然后是22纳米，再到14或15纳米，最终到10纳米。但是官方只宣布了2009年实现32纳米的目标，并未透露其他目标实现的时间，也未透露将会如何实现这

全新可现场安装的工业以太网rj-45模块化45°插头采用两步锁止机构(插座与支架)——插座提供金属栓锁止并可选提供附加锁止的支架，该插头能够在严苛环境下提供可靠连接，是高速(4 pos.)及千兆(8 pos全新45° rj-45模块化插头每针最高可支持500ma电流、能够可靠进行750次装配操作、正常工作温度为-40至+70 摄氏度。其可支持4条awg 22线缆或8条aw

过去九年中，中微半导体通过先后承担并圆满完成65-45纳米、32-22纳米、22-14纳米等三项等离子介质刻蚀设备产品研制和产业化的02专项任务，使我国在该项设备领域中的技术基本保持了与国际先进水平同

9月22日消息，新技术让IBM不断缩小它的微处理器。目前的半导体技术只能把处理器缩小在65-45纳米之内，而英特尔公司明年的目标却是32纳米。IBM公司更进一步，宣布其计划生产22纳米的处理器。英特尔计划不断缩小芯片尺寸，从45纳米到32纳米，然后是22纳米，再到14或15纳米，最终到10纳米。但是官方只宣布了2009年实现32纳米的目标,并未透露其他目标实现的时间,也未透露将会如何实现这些

零件清单：TRONG R1：5K1 6K8 R2： 0.1uF的 Z1：1N4735 可控硅：2N6167 TR：2N4851 德州仪器 小学= 30匝#22 中= 45匝#22 核心Ferroxcube

JFET用作隔离器为低频输入信号提升运放器的输入阻抗至22兆欧。当频率增至大约20kHz时，阻抗下降至3.9兆欧。当使用18V电源时，电路的总增益约为45分贝。