电容电压U＝Q/C假如用恒流充电，电量Q＝I*tU＝I*t/Ct=U*C/I=(300*1000*10^-6)/(100*10^-3)=0.3/0.1=3(秒）电容储存的电能E＝0.5*C*U^2电压300V时，具有电能E1=0.5*1000*10^-6*300^2=45(焦耳)放电至100V,电能降低为E2=0.5*1000*10^-6*100^2=5(焦耳)放掉的电能ΔE＝E1－E2＝45-5

【用　途】 行输出变压器【性能 参数】1-2-9-10 3-45-6-8

型号及规格外型尺寸(mm)外圆/内孔×厚度　主要技术特性fr(MHz)KrHF-38-4268/φ16×5420.42HF/45/38W45/φ17×5380.42HF-50/32W50/φ20×6(6.5)320.42HF-50/32W50/φ23×6(6.5)32

6月23号下午13:45-14:30 在研讨会专区，亨特舒特先生将进行高效的马达设计演讲，而6月24号10:45-11:45，他将在现场免费回答所有参观者有关发动机设计和应用的问题。　　

5月24日消息，据主板厂商的消息来源称，AMD计划在今年第三季度把台式电脑处理器生产过渡到45纳米节点生产工艺，以帮助降低成本。目前，只有AMD的四核PhenomIIX4800和900系列(Heka)处理器和三核PhenomIIX3700系列处理器是采用45纳米以下生产工艺制造的。AMD计划在今年6月把双核PhenomIIX2500系列(Callisto)和AthlonIIX2200系列过渡到45纳米生产工艺，在今年9月把四核AthlonIIX4600系列和三核AthlonIIX3400系列(Rana)处理器过渡到45

【用　途】 双FIR滤波电路 【性能 参数】双列84脚PGA封装,电源电压=8V,最大功率消耗=3.1W。

【用　途】 【性能 参数】【互换 兼容】

音频功率放大 【性能 参数】硅 PNP 45V 15A 90W 【互换 兼容】BD246 BD250 BD258/45

【用　途】 双FIR滤波电路 【性能 参数】双列100脚MQFP封装,电源电压=8V,最大功率消耗=2.4W。

【用　途】 用于UHF频段及射频 【性能 参数】硅 NPN 12.5V 45W 【互换 兼容】BLU45/12