单向可控硅型号产品型号 主要参数 封装形式 通态额定平均Ir(A)正反向击穿Vdrm/Vrrm(V) 触发Igr TSE169 1 ≥600 10-100uA T0-92 TSE100-8 1 ≥600 10-100uA T0-92 TSE02 2 ≥600 10-100uA T0-92M TSE2P4M 2 ≥600 10-100uA T0-126,T0-20

【用　途】 场效应超高频管 【性能 参数】N沟 25V 24-60mA 0.3W 【互换 兼容】

【用　途】 GaAs集成SPDT开关电路【性能 参数】 采用双列贴片6脚封装。该芯片插入损耗为0.4db，上升下降时间为10ns。 引脚排列图：　　芯片GND脚为接地脚，V1、V2为控制脚。当V1为高电平（2V～5V），V2为0V时，J1与J2被隔

【用　途】 场效应超高频管 【性能 参数】N沟 25V 12-60mA 0.3W 【互换 兼容】

PowerIntegrations公司(POWI)近日宣布推出一种简单、元件数量极少的驱动器电路DI-92用于LED照明技术。DI-92电路只需要9个元件，可以输出40mA电流或者输出0.5W功率，适用于紧急出口标志、夜明灯和各种其他照明的使用。DI-92是一种用于LED的恒流驱动电路，它使用非隔离式降压－升压转换电路。DI-92电路设计可以使用全世界

【用　途】 温度传感器 【性能 参数】测温范围为-20～100℃,在测0℃以下温度时要采用双电源.2.2～12V;静态电40uA;TO---92封装或SOT---23B

【用　途】 场效应超高频管 【性能 参数】N沟 25V 12-30mA 0.3W 【互换 兼容】

应用于钮扣电池供电背光超小CAT3661提供高达92%的能效，为各种超低功率便携手持LED应用延长电池使用时间2010年9月20日 – 应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON

Ic：Max500mA集电极-基极电压Vcbo：40V工作温度：-55℃to+150℃和9012（PNP）相对主要用途：开关应用射频放大其它三极管资料：点击查看9013PDF资料：sot-23封装TO-92封装点击查看9015PDF资料：sot-23封装TO-92封装点击查看BC817资料:贴片封装点击查看8550PDF资料：sot-23封装TO-92封装点击查看9012PDF资料：sot-23封装TO-封装点击查看9015PDF资料：sot-23封装TO-92封装点击查看BC817资料:贴片封装点击查看8550PDF资料：sot-23封装TO-92封装点击查看9012PDF资料：sot-23封装TO-9

产品型号:mc34064p-5rag工作电压(v):1.0~6.5复位门限(v):4.600门限滞后(mv):20低电平复位:√高电平复位:－工作电流典型值(ua):390封装/温度(℃):to-92/