【用　途】 MOS场效应激励、驱动管 【性能 参数】N沟 60V 3A 28W 24-30/ns Ron=0.35-4Ω 【互换 兼容】2SK973/2SJ182X2

【用　途】 彩电开关电源变压器【性能 参数】1-4 6-7-8 10-12绕组形式：14 φ 0.35 209T7-8 φ0.35 209T86 φ0.35 9.5T1012

【用　途】 彩电开关电源变压器【性能 参数】1-2-5 3-4-6-7绕组形式：12 φ0.15 294T25 φO.15 165T3-4 φ0.35 58T46 φ0.35100T67 φ0.35 11T绕组结构：

φ0.35 190TNF φ0.35 127TNL1 φ0.26 297TNL2 φ0.25 101TNF3 φ0.35 177.5T绕组结构：

φ0.35 190TNF φ0.35 127TNL1 φ0.26 297TNL2 φ0.25 101TNF3 φ0.35 177.5T绕组结构：

【用　途】 调频中放电路 【性能 参数】单列9脚封装;电源电压=24V;自动频率输出电压=190mV;调幅抑制比=50dB;允许功耗=1W;6脚电压=14.4V;谐波失真=0.35%。

微孔仪器”和介孔仪器”的主要区别：物理吸附行业，对孔划分为3类：微孔：0.35-2nm；介孔：2-50nm；大孔50-200nm；物理吸附仪的主要功能是三个：比表面、孔体积、孔径分布；配分子泵的仪器可测试： 比表面，孔体积（0.35-400nm），孔径分布（0.35-400nm）；不配配分子泵的仪器可测试：比表面，孔体积（0.35-400nm），

上海华虹NEC电子有限公司6月4日宣布，公司与其技术合作伙伴共同开发的一个新技术项目——先进的0.35微米BCD工艺进展顺利，已取得显著成果。预计公司可在第三季度完成0.35微米40伏BCD工艺的开发，并向客户开放使用。华虹NEC将运用此工艺为客户提

产品型号:sn65hvd234d驱动器:1接收器:1工作电压(v):3.300驱动tpd(ns):35接收tpd(ns):35icc(max)(ma):6引脚兼容:pca82c250封装/温度(℃):soic8

产品型号:cs5257a-1gt5输出电压典型值(v):1.25~5输出电流典型值(a):7极性:正压差典型值(v):0.35@7a输入电压最大值(v):6封装/温度(℃):5to220/0~150描述