【用　途】 场效应开关管 【性能 参数】P沟 40V 50mA 0.375W 24/ns Ron=250Ω 【互换 兼容】

【用　途】 场效应开关管 【性能 参数】P沟 40V 50mA 0.375W 24/ns Ron=350Ω 【互换 兼容】

【用　途】 MOS场效应激励、驱动管 【性能 参数】N沟 60V 3A 28W 24-30/ns Ron=0.35-4Ω 【互换 兼容】2SK973/2SJ182X2

产品型号:nis6111qpt1g输入电压vin（v）典型值:0.800输入电压vin（v）最大值:24平均调整正向电流ifav(a):30倒通电阻rds(on)(mω）:3.700fet倒通时间（ns）:45关断延迟时间（ns）:35封装/温度(℃):pllp32/-40~125价格/1片(套):￥43.70

产品型号:ISL43640IR配置:SINGLE 4 x1导通电阻RDS(on) (Ω):45导通时间T(ON)(ns):25关断时间T(OFF)(ns):24电荷灌入(pC):1漏电流Leakage(

【用　途】 MOS场效应微型/开关/斩波/限幅管【性能 参数】P沟 40V 50mA 0.375W 24/ns Ron=250Ω 【互换 兼容】X3N163 XIT1700

【用　途】 MOS场效应微型/开关/斩波/限幅管【性能 参数】P沟 40V 50mA 0.375W 24/ns Ron=250Ω 【互换 兼容】X3N163 XIT1700

产品型号:ISL43410IU配置:Double开关类型:DPDT导通电阻(Ω):45TON(ns)/TOFF(ns):25/24灌入电荷(pC):1漏电流Leakage( nA):0.010SRCCap

产品型号:1n5359brl齐纳击穿电压vz最小值(v):22.800齐纳击穿电压vz典型值(v):24齐纳击穿电压vz最大值(v):25.200@izt(ma):50齐纳阻抗zzt(ω):3.500最大功率pmax(w):5芯片标识:1n5359b封装/温度(℃):surmetic40/-65~200价格/1片(套):￥1.50