【用　途】 【性能 参数】N沟 50V 16A 40W 80/ns Ron=0.08Ω 【互换 兼容】

产品型号:ncp5351d工作电压最小值(v):4.500工作电压最大值(v):6.300输出通道:2驱动器配置:同相输出峰值电流(a):4上升时间(ns):80下降时间(ns):80封装/温度(℃):

产品型号:ncp5351dr2g工作电压最小值(v):4.500工作电压最大值(v):6.300输出通道:2驱动器配置:同相输出峰值电流(a):4上升时间(ns):80下降时间(ns):80封装/温度(

【用　途】 MOS场效应开关管 【性能 参数】N沟 50V 14A 125W 80/ns Ron=0.1Ω 【互换 兼容】

产品型号:NCP5351DR2G工作电压最小值(V):4.500工作电压最大值(V):6.300输出通道:2驱动器配置:同相输出峰值电流(A):4上升时间(ns):80下降时间(ns):80封装/温度(

产品型号:NCP5351D工作电压最小值(V):4.500工作电压最大值(V):6.300输出通道:2驱动器配置:同相输出峰值电流(A):4上升时间(ns):80下降时间(ns):80封装/温度(℃):

移动电话厂商只要利用美国国家半导体最新推出的这系列芯片，便可大幅降低电话功耗，降幅最高可达80％，而通话时间也可延长达90分钟。

【用　途】 MOS场效应开关/功率放大管 【性能 参数】N沟 50V 10A 20W 80/ns Ron=0.1Ω 【互换 兼容】MTD10N05E MTD10N05E1

【用　途】 MOS场效应开关/功率放大管 【性能 参数】N沟 50V 10A 20W 80/ns Ron=0.1Ω 【互换 兼容】MTD10N05E MTD10N05E1

1n5820rlg反向重复峰值电压vrrm(max)(v):3平均整流器前向电流io(max)(a):20瞬间前向电压vf(max)@if(v):0.457非重复峰值浪涌电流ifsm(max)(a):80瞬间反转电流ir(max)(ma):2封装/温度(℃):do201ad/-65~125价格/1片(套):￥1.50