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AD7366-5/AD7367-51是双核12位/14位、低功耗、逐次逼近型模数转换器(ADC)，最高吞吐量为500 KSPS。每个器件内置两个ADC，两者之前均配有一个双通道多路复用器及一个低噪声、宽带宽采样保持放大器。
AD7366-5/AD7367-5采用ADI公司的工业CMOS工艺 ( i CMOS )(2)制造，该技术平台兼具低电压和高电压CMOS的优点。利用该工艺，这些器件不仅降低了功耗和封装尺寸，而且能接受高电压双极性信号。AD7366-5/AD7367-5可以输入±10 V范围、±5 V范围及0 V至+10 V范围内的真双极性模拟信号。
这些器件具有2.5 V的片内基准电压，可以禁用该电压以便使用外部基准电压。如果将3 V基准电压施加于DCAPA和DCAPB引脚，则AD7366-5/AD7367-5就能接受±12 V真双极性模拟输入。对于±12 V输入范围，需要采用最低±12 V的V(DD) 和V(SS)电源。
产品聚焦
【用 途】 场效应直流/调频/甚高频管 【性能 参数】N沟 27V 7-12mA 0.25W 100MHz 【互换 兼容】
双极型555定时器的电源电压范围为5～16 V，最大负载电流可达200 mA。CMOS555定时器电源电压范围为3～18 V，最大负载电流小于4 mA。所以，555定时
该荧光灯电子镇流器电路由电源电路、高频振荡器和LC串联输出电路组成。 电路中，电源电路由熔断器FU、电子滤波变压器T1、电容器C1、C2、压敏电阻器RV和整流二极管VD1 VD4组成；高频振荡器电路由晶体管V1、V2,二极管VD5、V D6、电阻器R1一R6、电容器C3一C5和高频变压器TZ组成；LC串联输出电路由限流电感器L、电容器C6、C7和荧光灯管EL组成。 接通电源，交流电压经T1和C1高
此前有消息称，小米新旗舰机小米5/5 Plus可能会于11月份发布。而通过外媒的最新消息，小米5/5 Plus将采用全金属机身，以及无边框设计。值得一提的是，小米5还可能会拥有两种不同内存版本，售价或为2300元。下面就详情来看看吧，希望会对大家有所帮助的据了解，小米5/5 Plus都将搭载骁龙820处理器。
【用 途】 差分放大器【性能 参数】 采用SO-8封装，采用3V、5V、±5V工作电源，并针对这些工作电源拟订技术规格，具5MHz截止频率和0.5dB纹波的四阶低通滤波器，82dBS/N(采用3V电源和2VP-P输出)，低失真，2VP-P，800Ω负载，1MHz：93dBc(二阶)，96dBc(三阶)，全
【用 途】 低噪声运算放大器【性能 参数】 采用扁平 (1mm) ThinSOT 8脚封装。噪声为0.95nV/rtHz，工作在2.5V至12.6V的单电压或多个电压，静态电流小于1.8mA。增益带宽800MHz，斜率250V/us，增益稳定在10或更高。工作温度为-40℃至85℃。&nbs
【用 途】 反激开关电源控制电路【性能 参数】 采用6脚封装，输入电压可低至5V,输出电压精度±1.5%,静态电流仅为240μA,工作温度从-40℃到150℃，可用于12V和42V汽车电源。 是一款恒定频率、电流模式、反激式控制器，专为在高输入电压应用中驱动 N 沟道
【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 100V 5A Vf=1.2V Lfsm=8A 【互换 兼容】
【用 途】 普通用途 【性能 参数】锗 PNP 60V 3A 5W 0.007MHz 【互换 兼容】3AD50B
【用 途】 低频开关管 【性能 参数】锗 NPN 40V 0.1A 0.15W 【互换 兼容】AC127 AC176 AC187 2N1194 2N1302 3BX31C
