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ADG408采用增强型LC(2)MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。接通时，各通道在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，达到电源电压的信号电平被阻止。所有通道均采用先开后合式开关，防止开关通道时发生瞬时短路。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字输入时，可实现较小的瞬变。

如想获得防闩锁性能保证、8 kV HBM ESD额定值、更低导通电阻(13.5欧姆)、更小封装及高达+/-22V、+40V的工作电压，可考虑使用ADG5408。

如想获得更低导通电阻(4.5欧姆)、更小封装及高达+/-15V、+12V的工作电压，可考虑使用ADG1408。