优势和特点
- 无闩锁现象
- 2.8 pF关断源电容
- 9 pF关断漏极电容
- 0.4pC电荷注入
- 低导通电阻：160 欧姆（典型值）
- 160 欧姆（典型值）
- ±9 V至±22 V双电源供电
- 9 V至40 V单电源供电
- 最大额定电源电压：48 V
- 额定电源电压范围：±15 V、±20 V、+12 V和+36 V
- 模拟信号范围：V(SS)至V(DD)
- 人体模型(HBM) ESD额定值：
8 kV输入/输出端口至电源
2 kV输入/输出端口至输入/输出端口
8 kV：所有其他引脚
产品详情
ADG5233和ADG5234均为单芯片工业CMOS模拟开关，分别内置三个/四个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。
所有通道均采用先开后合式开关，防止开关通道时发生瞬时短路。ADG5233（LFCSP和TSSOP封装）提供ENEN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。
这些开关具有超低电容和电荷注入特性，因而是要求低毛刺和快速建立时间的数据采集与采样保持应用的理想解决方案。较快的开关速度及高信号带宽，使这些器件适合视频信号切换应用。
应用
- 自动测试设备
- 数据采集
- 仪器仪表
- 航空电子
- 音频和视频开关
- 通信系统
产品聚焦
- 沟道隔离可防止闩锁。
电介质沟道将P沟道与N沟道晶体管分开，保证即使在严重过压状况下，也不会发生闩锁现象。
- 超低电容，电荷注入为-0.6 pC。
- 双电源供电。
对于双极性模拟信号应用，ADG5233/ADG5234可以采用高达±22 V的双电源供电。
- 单电源供电。
对于单极性模拟信号应用，ADG5233/ADG5234可以采用最高40 V的单电源供电。
- 3 V逻辑兼容数字输入。
V(INH) = 2.0 V， V(INL) = 0.8 V。
- 无需V(L)逻辑电源。
