ADL5802采用硅锗高性能IC工艺制造。这款器件采用紧凑型4 mm × 4 mm 24引脚LFCSP封装,工作温度范围为-40°C~+85°C。还可提供评估版。
应用
Data Sheet, Rev PrA, 10/2008
满足3G/4G要求的双通道有源混频器为了满足新一代3G/4G基础设施对更小尺寸和更高性能的需求,ADI推出了业内第一款双通道宽带有源混频器ADL5802,与ADI最新推出的集成了3个VCO的宽带集成式合成器ADL5802可提供高线性度和适当的增益,并采用业界最小尺寸的封装。ADL5802双通道有源
ADL5801涵盖了从10MHz到6,000MHz的范围,具有最宽广的可用运作频率,能够补足于2008年10月所发表的ADL5802双信道主动式混波器。
ADL5801单通道有源混频器覆盖10MHz至6000MHz的范围,具备最宽的可用工作频率,是2008年10月发布的ADL5802双通道有源混频器的补充器件。
ADL5801单通道有源混频器覆盖10MHz至6000MHz的范围,具备最宽的可用工作频率,是2008年10月发布的ADL5802双通道有源混频器的补充器件。