优势和特点
- 低噪声（0.1 Hz至10.0 Hz）： 3.5 µV p-p（2.5 V输出）
- 无需外部电容
- 低温度系数
A级： 10 ppm/℃（最大值）
B级： 3 ppm/℃（最大值） - 负载调整率： 15 ppm/mA
- 线性调整率： 20 ppm/V
- 宽工作电压范围：
ADR430： 4.1 V至18 V
ADR431： 4.5 V至18 V
ADR433： 5.0 V至18 V
ADR434： 6.1 V至18 V
ADR435： 7.0 V至18 V - 高输出源电流和吸电流： +30 mA和-20 mA
- 宽工作温度范围： -40 ℃至+125 ℃
产品详情
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET 系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至最小。
与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)和更小的电源电压裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435 XFET基准电压源是适合5 V系统的低噪声解决方案。
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列的源电流输出最高达30 mA，最大吸电流能力为-20 mA。它还具有调整引脚，可以在±0.5%范围内调整输出电压，而性能则不受影响。
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435提供8引脚MSOP和8引脚窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为-40°C至+125°C扩展工业温度范围。
应用
精密数据采集系统高分辨率数据转换器医疗仪器工业过程控制系统光学控制电路精密仪器 
