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ADRF5130

0.7 GHz至3.5 GHz高功率、44 W峰值、硅SPDT、反射式开关

ADRF5130产品信息:

概览

优势和特点

  • 反射式50 欧姆设计
  • 低插入损耗:0.6 dB(典型值,2 GHz)
  • 高隔离度:50 dB(典型值,2 GHz)
  • 高功率处理
    • 连续平均功率:43 dBm
    • 峰值功率:46.5 dBm
  • 高线性度
    • 0.1 dB压缩(P0.1dB):>46 dBm(典型值)
    • 输出三阶交调截点(IP3):68 dBm(典型值,2 GHz)
  • ESD额定值
    • 人体模型(HBM):2 kV,2级
    • 充电器件模型(CDM):待定
  • 单正电源
    • V(DD):5 V
  • 正控制,TTL兼容
    • V(CTL): 0 V 或 5 V
  • 24引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装 (16 mm(2))


产品详情

ADRF5130是一款高功率、反射式、0.7 GHz至3.5 GHz、单刀双掷(SPDT)硅开关,采用无引脚、表贴封装。该开关非常适合高功率和蜂窝基础设施应用,如长期演进(LTE)基站。ADRF5130具有43 dBm(典型值)高功率处理能力、0.6 dB低插入损耗、68 dBm(典型值)输入线性度三阶交调截点和46 dBm下的0.1 dB压缩点(P0.1dB)。片内电路在5 V单正电源电压下工作,典型偏置电流为1 mA,使其成为基于引脚二极管开关的理想替代器件。

该器件采用符合RoHS标准的紧凑型24引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装。

应用

  • 蜂窝/4G基础设施
  • 无线基础设施
  • 军事和高可靠性应用
  • 测试设备
  • 引脚二极管替代器件

ADRF5130数据手册:

ADRF5130引脚功能、电路图:

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