优势和特点
- 集成式双通道 RF 前端
- 2 级 LNA 和高功率硅 SPDT 交换芯片
- 片内偏置和匹配
- 单电源供电
- T(CASE) = 105°C 时具有高功率处理能力
- LTE 平均功率 (9 dB PAR) 整个生命周期:43 dBm
- 增益
- 高增益模式:3.6 GHz 时为 36 dB(典型值)
- 低增益模式:3.6 GHz 时为 17 dB(典型值)
- 低噪声指数
- 高增益模式:3.6 GHz 时为 1.05 dB(典型值)
- 低增益模式:3.6 GHz 时为 1.05 dB(典型值)
- 高隔离
- RXOUT-CHA 和 RXOUT-CHB:47 dB(典型值)
- TERM-CHA 和 TERM-CHB:75 dB(典型值)
- 低插入损耗:3.6 GHz 时为 0.5 dB(典型值)
- 高 OIP3:35 dBm(典型值)
- 关断模式和低增益模式
- 低电源电流
- 高增益模式:5 V 时为 95 mA(典型值)
- 低增益模式:5 V 时为 48 mA(典型值)
- 关断模式:5 V 时为 13 mA(典型值)
- 正逻辑控制
- 6 mm × 6 mm 40 引脚 LFCSP 封装
- 与 ADRF5515 和 ADRF5519 ,以及 10 W 版本, ADRF5545A 和 ADRF5549 的引脚兼容。
产品详情
ADRF5515A 是一款双通道、集成 RF、前端、多芯片模块,设计用于时分双工 (TDD) 应用。该套件的工作频率为 3.3 GHz 至 4.0 GHz。ADRF5515A 采用双通道配置,包含级联两级低噪声放大器 (LNA) 和高功率硅单刀双掷 (SPDT) 交换芯片。
在高增益模式下,级联两级 LNA 和开关提供 1.05 dB 的低噪声指数 和 36 dB 的高增益(频率为 3.6 GHz)以及 35 dBm(典型值)的输出 3 阶交调点 (OIP3)。在低增益模式下,两级 LNA 的一级处于旁路状态,在 48 mA 的较低电流下提供 17 dB 的增益。在关断模式下,LNA 将关闭,套件流耗为 13 mA。
在发射过程中,当 RF 输入连接到端电极引脚(TERM-CHA 或 TERM-CHB)时,该开关提供 0.5 dB 的低插入损耗,并在整个生命周期内处理 43 dBm 的长期演进 (LTE) 平均功率(9 dB 峰值/平均值比 (PAR))。
该套件采用符合 RoHS 要求的、紧凑型 6mm×6mm、 40 引脚引线框架芯片级封装(LFCSP)。
应用
无线基础设施TDD 大规模多输入和多输出以及有源天线系统基于 TDD 的通信系统