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ADRF6612是一款双通道射频(RF)混频器和中频(IF)放大器，集成锁相环(PLL)和压控振荡器(VCOs)。 ADRF6612利用革命性的宽带方波限幅本振(LO)放大器来实现700 MHz至3000 MHz RF带宽。 与窄带正弦波LO放大器解决方案不同，LO可用于高于或低于RF输入的极宽带宽。 LO放大器不需要储能元件，因此直流功耗也随着LO频率降低而降低。
ADRF6612利用高线性度的双重平衡无源混频器内核以及集成式RF和LO平衡电路实现单端操作。 集成式RF巴伦可在700 MHz至3000 MHz RF输入频率范围内提供较佳性能。 平衡无源混频器配置能够在整个RF带宽内提供出色的LO至RF和LO至IF泄漏、出色的RF至IF隔离以及出色的交调性能。
平衡混频器内核提供极高的输入线性度，使该器件能用在要求苛刻的宽带应用中。对于这些应用，如果输入线性度不高，带内阻塞信号可能会导致动态范围降低。 阻塞条件下的噪声性能与窄带无源混频器设计相当。 高线性度中频缓冲放大器紧跟在无源混频器内核之后，可提供9 dB的典型功率转换增益，并且可以与各种输出阻抗相匹配。
PLL架构支持整数N分频和小数N分频操作，采用12 MHz至320 MHz范围内的任意外部参考输入频率均能产生200 MHz至2,700 MHz的整个LO频率范围。 外部环路滤波器提供相位噪声与采集时间权衡取舍的灵活性。 为减少小数N分频模式下的小数杂散，使用西格马-得尔塔 (ƒ°-ƒ¢)调制器控制后VCO可编程分频器。 VCO具有多个VCO内核。
ADRF6612的所有功能都通过一个3线SPI进行控制，由此可实现较佳性能，所需外部元件较少。 ADRF6612采用BiCMOS高性能IC工艺制造。 该器件采用7 mm ×7 mm、48引脚LFCSP封装，额定工作温度范围为-40℃至+85℃。 同时提供评估板。
应用
