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ADRF6650是一款高度集成的下变频器，集成了双混频器、双数字交换衰减器、双数字可变增益放大器、锁相环(PLL)和压控振荡器(VCO)。此外，ADRF6650还集成了两个射频(RF)巴伦、串行增益控制(SGC)控制器和快速启用输入以实现分时双工(TDD)运行。
片内RF巴伦可使ADRF6650支持50 欧姆 端接RF输入。集成式无源混频器可为200 MHz滑动中频(IF)窗口提供高度线性下变频。ADRF6650使用宽带方波限制本振器(LO)放大器实现450 MHz至2700 MHz的RF带宽。与传统窄带正弦波LO放大器解决方案不同，此放大器允许在极宽的带宽范围内在高于或低于RF输入的条件下应用LO。
ADRF6650提供两种生成差分LO输入信号的方法：通过具有低相位噪声VCO的片内小数N分频频率合成器在内部生成，或通过低相位噪声LO信号在外部生成。集成PLL/VCO的连续LO覆盖范围为450 MHz至2900 MHz。PLL基准输入支持很宽的频率范围，并且在相位频率检测器(PFD)之前有一个集成的基准分频器。
ADRF6650通过高级硅锗(SiGe)双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS)工艺制成。它采用符合RoHS标准的56引脚8 mm × 8 mm引脚架构芯片级封装(LFCSP)，带有裸露焊盘。性能规定在 -40°C至 +105°C最高焊盘温度范围内。
应用
