0
Airfast RF功率LDMOS晶体管，728-3600 MHz，平均1.26 W, 28 V。
PLD4L，塑料，射频模压包装设计;4终端;0毫米间距;5.85 mm × 6.61 mm × 1.74 mm机身。
日前，飞思卡尔半导体发布了AFT27S006N和AFT27S010N两款全新的射频功率晶体管，此两款新器件的推出在满足效率提升、峰值功率和信号带宽需求的同时，还能应对降低成本的持续压力，完美的成为Airfast大功率射频（RF）晶体管的全球领导者飞思卡尔半导体日前发布了AFT27S006N和AFT27S010N两款全新的射频功率晶体管，此两款新器件的推出在满足效率提升、峰值功率和
