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AFT27S012N
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AFT27S012N产品信息：
特点
快速射频功率LDMOS晶体管，728-2700兆赫，1.26瓦平均功率，28伏特。
封装类型和焊端数
PLD4L
PLD4L，塑料，射频模压包装设计;4终端;0毫米间距;5.85 mm × 6.61 mm × 1.74 mm机身。
AFT27S012N数据手册：
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