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AG606-G是一个双放大器，包含两个内部匹配的放大器，最适合推挽配置。内部放大器采用InGaP HBT技术，具有成本效益，低失真的解决方案。
AG606-G是理想的降放大器，分流器，和其他低到中等功率的厂外有线电视应用。该放大器还可用于低功率头端应用，如线性激光驱动器。
AG606-G在使用75欧姆推挽配置时具有出色的驻波比。它采用低成本环保无铅/绿色/符合rohs标准的SOIC-8封装。
| Type | Upstream & Downstream |
| Frequency Min(MHz) | DC |
| Frequency Max(MHz) | 1,000 |
| Gain(dB) | 13.5 |
| NF(dB) | 4.5 |
| Voltage(V) | > 7 |
| Current(mA) | 165 |
| RoHS | Yes |
| Lead Free | Yes |
| Halogen Free | Yes |
| ITAR Restricted | No |
| ECCN | 5A991.B |
代 表 公 司 GTE 美国微电路公司 元件种类或用途集成电路 典 型 型 号 公 司 简 介
【用 途】 连程式传感器【性能 参数】G-305技术参数：工作电压：DC11-15V压力范围：-30IN/Hg—0—2BAR输出电压：0V—1.333V—4V误差范围：1%工作温度：20℃—100℃ 温度范围
封装代码 封装描述 资料 LCC-G 68-PIN CeramIC LCC (下载)
【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 300V 0.1A Vf=1.2V Lfsm=2A 【互换 兼容】
【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 800V 1A Vf=1.2V Lfsm=20A 【互换 兼容】
【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 800V 500mA Vf=1.2V Lfsm=1A 【互换 兼容】
【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 800V 0.1A Vf=1.2V Lfsm=2A 【互换 兼容】
【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 300V 500mA Vf=1.2V Lfsm=1A 【互换 兼容】
【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 100V 0.3A Vf=1.2V Lfsm=6A 【互换 兼容】
【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 600V 0.2A Vf=1.2V Lfsm=4A 【互换 兼容】
