150V 汽车级的单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 在低导通电阻下进行了优化，额定电流为18 A。
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150V 汽车级的单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 在低导通电阻下进行了优化，额定电流为18 A。
优势
新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR 适用于汽车 D 类音频系统的 DirectFET 2 功率 MOSFET 阵营，并利用低栅极电荷
新推出的 auirf7640s2、auirf7647s2 和 auirf7675m2 器件，拓展了 ir 适用于汽车 d 类音频系统的 directfet®2 功率 mosfet 阵营，并利用低栅极电荷
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新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR 适用于汽车 D 类音频系统的 DirectFET?2 功
包括耐压（漏源电压）为＋60V的AUIRF7640S2”、＋100V的AUIRF7647S2”及＋150V的AUIRF7675M2”3种。
新推出的AUIRF7640S2、AUIRF7647S2和AUIRF7675M2器件，拓展了IR适用于汽车D类音频系统的DirectFET2功率MOSFET阵营，并利用低栅极电荷(Qg)作出优化，来改善总谐波失真
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