40V 汽车级的单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET L6 封装，在低导通电阻下进行了优化，额定电流为184 A。
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40V 汽车级的单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET L6 封装，在低导通电阻下进行了优化，额定电流为184 A。
优势
潜在应用
auirf7737l2 和 auirf7738l2 与 ir 之前推出的 auirf7739l2 共用一个大罐电路板，使这些器件成为可扩展系统设计的理想元件。auirf7737l2 和 auirf7738l2 的封装电流额定值为 315a，所以 directfet® 封装没有限制硅电流能力。
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布拓展了车用DirectFET®2功率MOSFET系列。该系列具有非常出色的功率密度、双面冷却功能以及最小寄生电感和电阻，适用于重负载应用，包括电动助力转向系统、电源、混合动力汽车的电池开关、微型混合动力汽车的集成起动发电机系统等。与传统的标准塑料封装器件相比，IR 的车用
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