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HEXFET Power MOSFET经过专门设计，适用于汽车应用，采用新型工艺技术，每个硅片都可以实现极低的导通电阻。另外，这款设计还可以在175°C的结温下工作，切换速度快，改善了重复性雪崩的额定值。上述功能的结合使得这种装置极为有效、可靠，可广泛适用于汽车行业和其它各种应用。
优势
【用 途】 场效应管【性能 参数】N沟 60V 400A 375W 1.5MΩ 带阻尼【互换 兼容】
【用 途】 场效应管【性能 参数】N沟 60V 270A 375W 2MΩ 带阻尼【互换 兼容】
【用 途】 场效应管【性能 参数】 N沟 40V 400A 380W 0.9MΩ 带阻尼【互换 兼容】
【用 途】 场效应管【性能 参数】N沟 75V 260A 370W 2.1MΩ 带阻尼【互换 兼容】
3-4-8 11-12 【互换 兼容】0125 7P-SR1
3-4-8 11-12 【互换 兼容】0125 7P-SR1
3-4-8 11-12 【互换 兼容】0125 7P-SR1
3-4-8 11-12 【互换 兼容】0125 7P-SR1
【用 途】 低压差线性稳压电路【性能 参数】采用USPQ-4B03 4脚封装，工作电压范围1.6V ~5.5V。输出电压 3.1V(±1%)，输入输出电压差200mV [IOUT=300mA,(VOUT=3.0V)]。最大耗散功率 100mW。最大输出电流 300mA，CE高电平有效，内置有浪涌电流保护电路，CE下拉电阻及CL放电电阻。其内部包含一个基准电源，一个误差放大器，一个驱动
9 【互换 兼容】0550 7P-M
