专为汽车应用而设计，该 HEXFET 功率 MOSFET 采用最新的处理技术，可实现每硅片面积极低的导通电阻。该设计的其他特点是 175°C 结的工作温度、快速的开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为一种极其高效和可靠的设备，可用于汽车应用和各种其他应用。