美国威世半导体（VishayIntertechnology）上市了温度范围在-55～＋155℃的Pt温度传感器（测温电阻体）芯片“PTS”系列（威世半导体）。容许差支持B级和2B级。线性温度特性为＋3850ppm/K。温度稳定度为在155℃时1000小时后R0偏差为±

RS92N/RS92NA特点•电阻温度系数（TCR）：± 2 PPM / °C典型值（ - 55 ° C至+ 155 ° C，REF + 20 ° C）;额定功率：0.25在+125W °C

产品型号:NTHD4P02FT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):155最大漏极电流Id(on)(A):3通道极性:P沟道封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:-20 V, -3.0 A,功率MOSFET价格/1片(套):￥2.80欢迎来一步电子网 查看更多精彩信息 请登录 www.kuyibu.com/botan

产品型号:NTMD6P02R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):-20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):33最大漏极电流Id(on)(A):-7.800通道极性:P沟道封装/温度(℃):SOIC8/-55~155描述:-20 V, -7.8 A功率MOSFET价格/1片(套):￥5.20欢迎来一步电子网 查看更多精彩信息 请登录 www.kuyibu.com/botan

【性能 参数】双列42脚封装;电源电压=10V;静态电流=14mA,录音输出电流=10mA;放音输出电流I(PB)=10mA;录音/放音开关输入电压=5V;允许功耗=1170mW,工作温度=-20～75℃,贮存温度=-55～155℃。

产品型号:NTHD4401PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):155最大漏极电流Id(on)(A):3通道极性:P封装/温度(℃):ChipFET/-55

在-55℃～+155℃、+20℃参考温度条件下，器件的典型TCR只有±2ppm/℃，容差为±0.01%，在70℃温度下工作2000小时后的负载寿命稳定率为±0.005%(50ppm)

在-55℃～+155℃、+20℃参考温度条件下，器件的典型tcr只有±2ppm/℃，容差为±0.01%，在70℃温度下工作2000小时后的负载寿命稳定率为±0.005%(50ppm)。 ;;; vi

在-55℃～+155℃、+20℃参考温度条件下，器件的典型TCR只有±2ppm/℃，容差为±0.01%，在70℃温度下工作2000小时后的负载寿命稳定率为±0.005%(50ppm)。

【用　途】 B型杜比降噪电路 【性能 参数】双列16脚封装,工作电源电压=5～16V,工作电流=3.5～7.5mA,典型值=5.1mA,功耗=500mW,工作温度=-20～75℃,贮存温度=-55～150℃,工作温度=-30～85℃,贮存温度=-55～150℃。