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BFP843F

BFP843F产品信息：

BFP843F 是一种低噪声宽带预匹配异质结双极晶体管 (HBT)。

特征描述

  • 高端射频性能和稳健性的独特组合：最大射频输入功率为 20 dBm，静电放电硬度为 1.5kV
  • 高转换频率 fT=60 Ghz，可在高频下实现同类产品中出色的噪声系数：NFmin = 1.1 dB @ 5.5 GHz, 1.8 V, 8 mA
  • 高增益，5.5 GHz、1.8 V、15 mA 条件下 Gms = 18 dB
  • OIP3 = 19.5 dBm@ 5.5 GHz, 1.8 V, 15 mA
  • 低电压应用的理想之选，例如，VCC = 1.2 V 和 1.8 V(2.85 V, 3.3 V, 3.6 V 要求对应的集电极电阻）
  • 低电压应用的理想之选，例如，VCC = 1.2 V 和 1.8 V(2.85 V, 3.3 V, 3.6 V 要求对应的集电极电阻）

潜在应用

  • 无线通信：WLAN、WiMAX 和蓝牙
  • 卫星通信系统：卫星广播 (SDAR、DAB)、导航系统（例如 GPS、格洛纳斯、北斗、伽利略）

低噪声宽带预匹配双极射频晶体管

特征描述

  • 低噪声宽带 NPN RF 晶体管，基于 可靠的大容量 SiGe:C 双极技术
  • 高数值的最大射频输入功率和 ESD 鲁棒性，20 dBm 最大射频输入功率，1.5 KV HBM ESD 硬度
  • 高射频性能、鲁棒性和易于应用电路设计的独特组合
  • 低噪声系数：NFmin = 0.95 dB@2.4 GHz；1.1 dB@5.5 GHz, 1.8 V, 8 mA
  • 的高增益|S21|2 = 21.5 dB@2.4 GHz；16.5 dB@5.5 GHz, 1.8 V, 15 mA
  • OIP3 = 22.5 dBm@2.4 GHz；20 dBm@5.5 GHz, 1.8 V, 15 mA
  • 低电压应用的理想之选，例如，VCC = 1.2 V 和 1.8 V(2.85 V, 3.3 V, 3.6 V 要求对应的集电极电阻）
  • 低功耗，是移动应用的理想选择
  • 薄型扁平无铅（符合 RoHS）和无卤素封装，带有可见引线
  • 根据AEC-Q101提供的认证报告

潜在应用

作为低噪声放大器 (LNA)，适用于

  • 无线通信: WLAN IEEE802.11b,g,n,a,ac 单/双频带应用，宽带 LTE 或 WiMAX LNA
  • 卫星导航系统 （例如 GPS、格洛纳斯、北斗...）和卫星 C 频段 LNB（一级和二级 LNA）
  • 宽带放大器：双频带 WLAN，多频带手机，UWB 高达 10 Ghz
  • 频带 ISM 高达 10 GHz
  • 专用短程通信 (DSRC) 系统 WLAN IEEE802.11p

BFP843F数据手册：

BFP843F引脚功能、电路图：

相关型号：

BB156 BAP50LX BAP142LX BB208-03 BB171
BAT18 BAP70AM BAP70-04W BAP70-03 BAP65LX
BAP65-05W BAP65-05 BAP64-06W BAP64-06 BAP64-05
BAP64-04 BAP51-06W BAP51-05W BAP51-04W BAP50-05W
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