BFR843EL3 数据手册-pdf中文资料-产品介绍及应用电路

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BFR843EL3

BFR843EL3 适用于高速低功耗应用的低噪声双频带预匹配放大器，采用小体积 TSLP 封装。

特征描述

高端射频性能和稳健性的独特组合：最大射频输入功率为 20 dBm，静电放电硬度为 1 kV
高转换频率可在高频下实现出色的同类噪声性能：在 2.4 GHz、1.8 V、8 mA 条件下 Nfmin = 1 dB，在 5.5 GHz、1.8 V、8 mA 条件下 Nfmin = 1.15 dB
高增益，2.4 GHz，1.8V，15 mA 时 Gms = 24 dB，5.5 GHz、1.8V、15 mA 条件下 Gms=21.5 dB
OIP3 = 20.5 dBm@2.4 GHz，1.8 V, 15 mA；20.5 dBm@5.5 GHz, 1.8 V, 15 mA
低电压应用的理想之选，例如，VCC = 1.2 V 和 1.8 V(2.85 V, 3.3 V, 3.6 V 要求对应的集电极电阻）
体积小，采用小尺寸架构无引线封装

潜在应用