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BGA5M1BN6

BGA5M1BN6产品信息:

BGA5M1BN6 是一款前端低噪声放大器,适用于 1805 MHz 至 2200 Mhz 频率范围内的 LTE 应用。在应用配置中,LNA 在 9.5mA 的电流消耗下提供 19.3 dB 增益和 0.65 dB 噪声系数。在旁路模式下,LNA 提供4.7 dB的插入损耗。


BGA5M1BN6 基于 科技 ‘B9HF 硅锗技术。它采用 1.5 V 至 3.6 V 电源供电。该器件具有单线双态控制(旁路和高增益模式)。可以通过关闭VCC来启用关闭状态。

特征描述

  • 插入功率增益:19.3 dB
  • 旁路模式下的插入损耗:4.7 dB
  • 低噪声系数:0.65 dB
  • 低电流消耗:9.5mA
  • 运行频率:1805 - 2200 MHz
  • 多态控制:旁路和高增益模式
  • 电源电压:1.5 V 到 3.6 V
  • 超小型TSNP-6-2和TSNP-6-10无铅封装(封装尺寸: 0.7 x 1.1 mm(2))
  • B9HF 锗硅技术
  • 射频输出内部与 50欧姆 匹配
  • 外部元件数量少
  • 2kV HBM ESD 保护(包括 AI -引脚)
  • 无铅,符合 (RoHS )封装

潜在应用

  • LTE

BGA5M1BN6数据手册:

相关型号:

BB156 BAP50LX BAP142LX BB208-03 BB171
BAT18 BAP70AM BAP70-04W BAP70-03 BAP65LX
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