BGA5M1BN6 是一款前端低噪声放大器,适用于 1805 MHz 至 2200 Mhz 频率范围内的 LTE 应用。在应用配置中,LNA 在 9.5mA 的电流消耗下提供 19.3 dB 增益和 0.65 dB 噪声系数。在旁路模式下,LNA 提供4.7 dB的插入损耗。
BGA5M1BN6 基于 科技 ‘B9HF 硅锗技术。它采用 1.5 V 至 3.6 V 电源供电。该器件具有单线双态控制(旁路和高增益模式)。可以通过关闭VCC来启用关闭状态。
特征描述
潜在应用