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BGA7H1BN6

BGA7H1BN6产品信息:

BGA7H1BN6 是用于 LTE 的前端低噪声放大器,覆盖 1805 MHz 至 2690 Mhz 的宽频率范围,工作电压为 1.5 V 至 3.3 V。该器件具有单线双态控制(旁路和高增益模式),可以通过关断 Vcc 来启用关闭状态。

特征描述

  • 插入功率增益:12.3 dB
  • 低噪声系数:0.85 dB
  • 低电流消耗:4.3 mA
  • 旁路模式下的插入损耗:-3.1 dB
  • 运行频率:1805 - 2690 MHz
  • 两态控制:旁路和高增益模式
  • 电源电压:1.5 V 到 3.6 V
  • 数字开启/关断开关( 1V逻辑高电平)
  • 极小的 TSNP-6-2 无铅封装 (封装尺寸: 0.7 x 1.1 mm2)
  • B7HF 锗硅技术
  • 射频输出内部与 50欧姆 匹配
  • 只需1个外部 SMD 部件
  • 无铅(符合 RoHS )的封装

潜在应用

用于智能手机、功能手机、平板电脑和射频前端模块的 LTE 接收的低噪声放大器。

BGA7H1BN6数据手册:

相关型号:

BB156 BAP50LX BAP142LX BB208-03 BB171
BAT18 BAP70AM BAP70-04W BAP70-03 BAP65LX
BAP65-05W BAP65-05 BAP64-06W BAP64-06 BAP64-05
BAP64-04 BAP51-06W BAP51-05W BAP51-04W BAP50-05W
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