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BGA7L1N6

BGA7L1N6产品信息：

用于 LTE 的硅锗低噪声放大器

特征描述

  • 插入功率增益：13.3 dB
  • 低噪声系数：0.90 dB
  • 低电流消耗：4.4 mA
  • 运行频率：728 - 960 MHz
  • 电源电压：1.5 V 到 3.3 V
  • 数字开启/关断开关( 1V逻辑高电平)
  • 极小的 TSNP-6-2 无铅封装 (封装尺寸: 0.7 x 1.1 mm2)
  • B7HF 锗硅技术
  • 射频输出内部与 50欧姆 匹配
  • 只需1个外部 SMD 部件
  • 2kV HBM ESD 保护（包括 AI -引脚）
  • 无铅，符合 (RoHS )封装

BGA7L1N6数据手册：

相关型号：

BB156 BAP50LX BAP142LX BB208-03 BB171
BAT18 BAP70AM BAP70-04W BAP70-03 BAP65LX
BAP65-05W BAP65-05 BAP64-06W BAP64-06 BAP64-05
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