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BGA7M1N6

BGA7M1N6产品信息：

LTE 硅锗低噪声放大器

特征描述

  • 插入功率增益：13.0 dB
  • 低噪声系数：0.60 dB
  • 低电流消耗：4.4 mA
  • 运行频率：1805 - 2200 MHz
  • 电源电压：1.5 V 到 3.3 V
  • 数字开启/关断开关( 1V逻辑高电平)
  • 极小的 TSNP-6-2 无铅封装 (封装尺寸: 0.7 x 1.1 mm2)
  • B7HF 锗硅技术
  • 射频输出内部与 50欧姆 匹配
  • 只需1个外部 SMD 部件
  • 2kV HBM ESD 保护（包括 AI -引脚）
  • 无铅，符合 (RoHS )封装

BGA7M1N6数据手册：

BGA7M1N6引脚功能、电路图：

相关型号：

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